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产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号：

    BFP196WNH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    12V

  • 频率 - 跃迁：

    7.5GHz

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：

    1.3dB @ 900MHz

  • 增益：

    9.7dB

  • 功率 - 最大值：

    700mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 50mA，8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    150mA

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    SC-82A，SOT-343

  • 供应商器件封装：

    PG-SOT343-4

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

规格书PDF

  • 芯片型号：

    BFP196W

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    Infineon Technologies AG

  • 原厂简称：

    INFINEON

  • 页数：

    7

  • 文件大小：

    79 kb

  • 说明：

    NPN Silicon RF Transistor

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深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋730

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